Determination of surface recombination velocity and bulk lifetime in detector grade silicon and germanium crystals

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Contactless Spectral-dependent Measurement of Bulk Lifetime and Surface Recombination Velocity in Silicon Photovoltaic Materials

Title of Thesis: CONTACTLESS SPECTRAL-DEPENDENT MEASUREMENT OF BULK LIFETIME AND SURFACE RECOMBINATION VELOCITY IN SILICON PHOTOVOLTAIC MATERIALS John Frederick Roller, Master of Science 2016 Thesis Directed By: Dr. Mario Dagenais, ECE Charge carrier lifetime measurements in bulk or unfinished photovoltaic (PV) materials allow for a more accurate estimate of power conversion efficiency in compl...

متن کامل

Surface, Emitter and Bulk Recombination in Silicon and Development of Silicon Nitride Passivated Solar Cells

Recombination within the bulk and at the surfaces of crystalline silicon has been investigated in this thesis. Special attention has been paid to the surface passivation achievable with plasma enhanced chemical vapour deposited (PECVD) silicon nitride (SiN) films due to their potential for widespread use in silicon solar cells. The passivation obtained with thermally grown silicon oxide (SiO2) ...

متن کامل

the study of bright and surface discrete cavity solitons dynamics in saturable nonlinear media

امروزه سالیتون ها بعنوان امواج جایگزیده ای که تحت شرایط خاص بدون تغییر شکل در محیط منتشر می-شوند، زمینه مطالعات گسترده ای در حوزه اپتیک غیرخطی هستند. در این راستا توجه به پدیده پراش گسسته، که بعنوان عامل پهن شدگی باریکه نوری در آرایه ای از موجبرهای جفت شده، ظاهر می گردد، ضروری است، زیرا سالیتون های گسسته از خنثی شدن پراش گسسته در این سیستم ها بوسیله عوامل غیرخطی بوجود می آیند. گسستگی سیستم عامل...

Resonance-enhanced waveguide-coupled silicon-germanium detector

Articles you may be interested in Waveguide-coupled detector in zero-change complementary metal–oxide–semiconductor Appl.

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Nuclear Science

سال: 1994

ISSN: 0018-9499,1558-1578

DOI: 10.1109/23.322852